Vishay SI6954ADQ-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 830 mW, 8-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 818-1371
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6954ADQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 818-1371
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6954ADQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | TSSOP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Länge | 4.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 3.1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Höhe | 1.05mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 818-1371
- Herst. Teile-Nr.:
- SI6954ADQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay