- RS Best.-Nr.:
- 804-7599
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN132N50P3
- Hersteller:
- IXYS
2 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
22 weitere lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück
€ 38,94
(ohne MwSt.)
€ 46,73
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 1 | € 38,94 |
2 - 4 | € 32,83 |
5 - 9 | € 31,19 |
10 - 29 | € 30,30 |
30 + | € 29,51 |
- RS Best.-Nr.:
- 804-7599
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN132N50P3
- Hersteller:
- IXYS
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 112 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Gehäusegröße | SOT-227 |
Montage-Typ | Schraubmontage |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 39 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Verlustleistung max. | 1,5 kW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
Länge | 38.23mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 25.07mm |
Serie | HiperFET, Polar3 |
Höhe | 9.6mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |