Nexperia PSMN3R8-100BS,118 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 120 A 306 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 798-2956
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R8-100BS,118
- Hersteller:
- Nexperia
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 798-2956
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R8-100BS,118
- Hersteller:
- Nexperia
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,9 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 306 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 10.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 11mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 4.5mm |