Toshiba TK TK10J80E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 796-5159
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10J80E
- Hersteller:
- Toshiba
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- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Gehäusegröße | TO-3PN |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 250 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Länge | 15.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 4.5mm |
| Höhe | 20mm |
| Serie | TK |
- RS Best.-Nr.:
- 796-5159
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10J80E
- Hersteller:
- Toshiba