- RS Best.-Nr.:
- 796-5099
- Herst. Teile-Nr.:
- TK40E06N1
- Hersteller:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- TK40E06N1
- Hersteller:
- Toshiba
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Serie | TK |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 10,4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Verlustleistung max. | 67 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
Breite | 4.45mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 10.16mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 15.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 796-5099
- Herst. Teile-Nr.:
- TK40E06N1
- Hersteller:
- Toshiba