- RS Best.-Nr.:
- 791-7876
- Herst. Teile-Nr.:
- STR2N2VH5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 791-7876
- Herst. Teile-Nr.:
- STR2N2VH5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V |
Verlustleistung max. | 350 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.75mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6 nC @ 4,5 V |
Länge | 3.04mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 1.3mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Serie | STripFET V |