STMicroelectronics STripFET H7 STL110N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 786-3726
- Herst. Teile-Nr.:
- STL110N10F7
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 110 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Serie | STripFET H7 |
Gehäusegröße | PowerFLAT 5 x 6 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 5 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 5.4mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 6.35mm |
Höhe | 0.95mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 786-3726
- Herst. Teile-Nr.:
- STL110N10F7
- Hersteller:
- STMicroelectronics