STMicroelectronics MDmesh STB11NM80T4 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 760-9477
- Herst. Teile-Nr.:
- STB11NM80T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs werden mit der revolutionären MDmesh-Technologie von STMicroelectronics entwickelt, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH verbindet. Diese Geräte bieten einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Diese Leistungs-MOSFETs nutzen die proprietäre Streifentechnik von ST und bieten eine dynamische Gesamtleistung, die vergleichbaren Produkten auf dem Markt überlegen ist.
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Beste RDS(on)Qg in der Branche
Anwendungen
Schaltanwendungen
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Beste RDS(on)Qg in der Branche
Anwendungen
Schaltanwendungen
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Gehäusegröße | TO-263 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 400 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 43,6 nC bei 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.75mm |
| Breite | 10.4mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
| Höhe | 4.6mm |
| Serie | MDmesh |
- RS Best.-Nr.:
- 760-9477
- Herst. Teile-Nr.:
- STB11NM80T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics