Infineon HEXFET IRLML2244TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 760-4438
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2244TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
-20V Single P-Channel StrongIRFETTM Power MOSFET in einem SOT-23-Paket
Die StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Zusammenfassung der Merkmale
- Netzteil gemäß Industriestandard für die Oberflächenmontage
- Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
- Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unten <100 kHz
- Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Vorteile
- Standard-Stiftleiste ermöglicht den Austausch
- Industriestandard-Qualifikationsstufe
- Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen
- Erhöhte Leistungsdichte
Anwendungsmöglichkeiten
- Batterieschutz
- SMPS
- Gleichstromschalter
- Lade-Schalter
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | HEXFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 95 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 1,3 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,9 nC @ 4,5 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 1.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 760-4438
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2244TRPBF
- Hersteller:
- Infineon