PowerTrench FDD2572 N-Kanal MOSFET, 150 V / 29 A, 135 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: CN
Informationen zur Produktgruppe

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor

Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 29 A
Drain-Source-Spannung max. 150 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 146 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 135 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Serie PowerTrench
Höhe 2.39mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26 nC @ 10 V
Breite 6.22mm
Transistor-Werkstoff Si
Länge 6.73mm
34 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 2)
1,45
(ohne MwSt.)
1,74
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +
€ 1,45
€ 2,90
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: