Infineon CoolMOS CP IPB60R099CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 753-2999
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R099CPATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 31 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | CoolMOS CP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 99 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 255 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 10.31mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Breite | 9.45mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 4.57mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 753-2999
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R099CPATMA1
- Hersteller:
- Infineon