Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 752-7773P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon
74000 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (geliefert auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
€ 0,078
(ohne MwSt.)
€ 0,094
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück |
| 1000 - 2400 | € 0,078 |
| 2500 - 4900 | € 0,075 |
| 5000 - 9900 | € 0,072 |
| 10000 + | € 0,067 |
- RS Best.-Nr.:
- 752-7773P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | OptiMOS |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 500 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,4 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 2.9mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 1.3mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 752-7773P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002H6327XTSA2
- Hersteller:
- Infineon