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  3. MOSFET

DMN2075U-7 N-Kanal MOSFET, 20 V / 4,2 A, 800 mW, SOT-23 3-Pin


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RS Best.-Nr.:
751-4143
Herst. Teile-Nr.:
DMN2075U-7
Hersteller:
DiodesZetex
Ursprungsland:
CN
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  • docPdfDatasheet

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.


EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.4,2 A
Drain-Source-Spannung max.20 V
GehäusegrößeSOT-23
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.45 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.1V
Verlustleistung max.800 mW
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Betriebstemperatur max.+150 °C
Länge3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs7 nC @ 4,5 V
Breite1.4mm
Betriebstemperatur min.-55 °C
Höhe1.1mm
Transistor-WerkstoffSi

02852/505
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