- RS Best.-Nr.:
- 739-6165
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF16N60NT
- Hersteller:
- onsemi
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1 - 9 | € 4,59 |
10 - 24 | € 4,15 |
25 - 49 | € 3,92 |
50 - 99 | € 3,61 |
100 + | € 3,32 |
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- 739-6165
- Herst. Teile-Nr.:
- FCPF16N60NT
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild bringt eine neue Generation von 600 V Super-Junction-MOSFETs hervor: SupreMOS®.
Die Kombination aus ihrer niedrigen RDS(ein) und Gesamt-Gatter-Ladung ergibt eine im Vergleich zu den 600 V SuperFET™-MOSFETs von Fairchild um 40 Prozent geringere Leistungszahl. Zusätzlich bietet die SupreMOS-Familie eine niedrige Gatterladung für die gleiche RDS(ein) und sorgt so für eine ausgezeichnete Schaltleistung und einen um 20 Prozent geringeren Schalt- und Leitungsverlust, was zu einer höheren Effizienz führt.
Durch diese Funktionen können Netzteile den Anforderungen der ENERGY STAR® 80 PLUS Gold-Klassifizierung für Desktop-PCs und der Platin-Klassifizierung für Server entsprechen.
Die Kombination aus ihrer niedrigen RDS(ein) und Gesamt-Gatter-Ladung ergibt eine im Vergleich zu den 600 V SuperFET™-MOSFETs von Fairchild um 40 Prozent geringere Leistungszahl. Zusätzlich bietet die SupreMOS-Familie eine niedrige Gatterladung für die gleiche RDS(ein) und sorgt so für eine ausgezeichnete Schaltleistung und einen um 20 Prozent geringeren Schalt- und Leitungsverlust, was zu einer höheren Effizienz führt.
Durch diese Funktionen können Netzteile den Anforderungen der ENERGY STAR® 80 PLUS Gold-Klassifizierung für Desktop-PCs und der Platin-Klassifizierung für Server entsprechen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 16 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220F |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 199 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 35,7 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 40,2 nC @ 10 V |
Länge | 10.16mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4.7mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Serie | SupreMOS |
Höhe | 15.9mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |