STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP10NK80ZFP N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 687-5273
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NK80ZFP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
8 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
10 weitere lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 2)
€ 3,98
(ohne MwSt.)
€ 4,78
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | € 3,98 | € 7,96 |
| 10 - 24 | € 3,595 | € 7,19 |
| 26 - 98 | € 3,395 | € 6,79 |
| 100 - 498 | € 2,71 | € 5,42 |
| 500 + | € 2,415 | € 4,83 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 687-5273
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NK80ZFP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
| Gehäusegröße | TO-220FP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 900 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 40 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 4.6mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Serie | MDmesh, SuperMESH |
| Höhe | 9.3mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 687-5273
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NK80ZFP
- Hersteller:
- STMicroelectronics