PowerTrench FDP038AN06A0 N-Kanal MOSFET, 60 V / 17 A, 310 W, TO-220AB 3-Pin

Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Ursprungsland: CN
Informationen zur Produktgruppe

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 17 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 310 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.83mm
Serie PowerTrench
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 96 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Höhe 9.65mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
61 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
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