onsemi BSS84 P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-0328
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84
- Hersteller:
- onsemi
Voraussichtlich ab 16.8.2024 verfügbar.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)
€ 0,346
(ohne MwSt.)
€ 0,415
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 90 | € 0,346 | € 3,46 |
| 100 - 990 | € 0,14 | € 1,40 |
| 1000 - 2990 | € 0,102 | € 1,02 |
| 3000 + | € 0,10 | € 1,00 |
| *Bitte VPE beachten | ||
Alternative
Dieses Produkt ist derzeit nicht verfügbar. Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:
- RS Best.-Nr.:
- 671-0328
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 130 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 360 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 1.3mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 2.92mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,9 nC @ 5 V |
| Höhe | 0.93mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |