Vishay IRLD024PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 541-0632
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLD024PBF
- Hersteller:
- Vishay
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | HVMDIP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1,3 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 6.29mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 5mm |
| Höhe | 3.37mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 541-0632
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLD024PBF
- Hersteller:
- Vishay