Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 51 A, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
262-6747
Herst. Teile-Nr.:
IRFB52N15DPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

51 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Silicon

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Es ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern und Plasma-Anzeigetafeln geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

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