Microchip TN5325 TN5325K1-G N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 150 mA, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 239-5617
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5325K1-G
- Hersteller:
- Microchip
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Transistor der Microchip TN5325-Serie mit niedrigem Schwellenwert, Anreicherungstyp (normalerweise aus) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
Niedriger Schwellenwert von max. 2 V
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Anstiegszeit von 15 ns
Ausschaltverzögerung von 25 ns
Abfallzeit von 25 ns
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Anstiegszeit von 15 ns
Ausschaltverzögerung von 25 ns
Abfallzeit von 25 ns
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Serie | TN5325 |