Infineon HEXFET IRFH7932TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 25 A, 8-Pin PQFN 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 220-7485
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH7932TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.
Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS
Niedrige Gateladung
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und
Stromstärke
100 % geprüft für RG
Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)
RoHS-konform (halogenfrei)
Niedriger Wärmewiderstand
Großes Quellkabel für zuverlässigeres Löten
Niedrige Gateladung
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und
Stromstärke
100 % geprüft für RG
Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)
RoHS-konform (halogenfrei)
Niedriger Wärmewiderstand
Großes Quellkabel für zuverlässigeres Löten
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PQFN 5 x 6 |
Serie | HEXFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0033 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 20V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |