Infineon OptiMOS 5 IAUS240N08S5N019ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 80 V / 240 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS240N08S5N019ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m1x bis zu 190 MΩ durch die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw, beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnlichen Startergeneratoren (Hauptwechselrichter), Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsbetriebe. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Neben den 48-V-Anwendungen werden die 80-V- und 100-V-MOSFETs auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.
N-Kanal - Anreicherungstyp
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Extrem niedriger RDS(on)
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Extrem niedriger RDS(on)
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 240 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Serie | OptiMOS 5 |
Gehäusegröße | PG HSOG-8 (TOLG) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,0019 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.8V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
- RS Best.-Nr.:
- 220-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUS240N08S5N019ATMA1
- Hersteller:
- Infineon