- RS Best.-Nr.:
- 217-2509
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
- RS Best.-Nr.:
- 217-2509
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 3,7 MΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, Optimo.
N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Extrem niedriger RDS(on)
100 % Lawinenprüfung
Green Product (RoHS konform)
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Extrem niedriger RDS(on)
100 % Lawinenprüfung
Green Product (RoHS konform)
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 3,7 mO |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |