- RS Best.-Nr.:
- 216-9664
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM055N03EPQ56
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
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- 216-9664
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- TSM055N03EPQ56
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- Taiwan Semiconductor
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Serie | TSM025 |
Gehäusegröße | PDFN56 |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Transistor-Werkstoff | Silicon |
- RS Best.-Nr.:
- 216-9664
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM055N03EPQ56
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- Taiwan Semiconductor