Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
214-4478
Herst. Teile-Nr.:
SPD02N80C3ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

CoolMOS™

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,7 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Dieser Infineon Cool MOS MOSFET verwendet eine neue revolutionäre Hochspannungstechnologie und verfügt über eine hohe Peak Current Kapazität.

Er verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung

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