Infineon OptiMOS 5 BSZ096N10LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 62 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 214-4342
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 62 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | OptiMOS 5 |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0135 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
- RS Best.-Nr.:
- 214-4342
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon