STMicroelectronics DM6 STW50N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 204-3948
Herst. Teile-Nr.:: STW50N65DM6
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DM6 STW50N65DM6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 33 A, 3-Pin TO-247

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Datenblätter und Anleitungen

Datasheet - STW50N65DM6

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Informationen zur Produktgruppe

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	DM6
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,091 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

RS Best.-Nr.:: 204-3948
Herst. Teile-Nr.:: STW50N65DM6
Hersteller:: STMicroelectronics

Datasheet - STW50N65DM6