Vishay TrenchFET® Gen IV SIDR638DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- RS Best.-Nr.:
- 200-6840
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 25 | € 2,583 | € 64,575 |
| 50 - 100 | € 2,092 | € 52,30 |
| 125 - 225 | € 1,937 | € 48,425 |
| 250 + | € 1,808 | € 45,20 |
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- RS Best.-Nr.:
- 200-6840
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR638DP-T1-RE3
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- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Der Vishay SIDR638DP-T1-RE3 ist ein N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
100 % Rg- und UIS-getestet
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
100 % Rg- und UIS-getestet
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,00088 Ω, 0,00116 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |