- RS Best.-Nr.:
- 195-2667
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB190N65S3F
- Hersteller:
- onsemi
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Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)
€ 3,039
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
10 - 40 | € 3,039 | € 30,39 |
50 - 90 | € 2,958 | € 29,58 |
100 - 190 | € 2,878 | € 28,78 |
200 - 390 | € 2,805 | € 28,05 |
400 + | € 2,735 | € 27,35 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 195-2667
- Herst. Teile-Nr.:
- NVB190N65S3F
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Körperdiode von SuperFET III FRFET® MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
701 V bei TJ = 150 °C
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)
Geringere Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1154 pF)
Geringere Schaltverluste
PPAP-fähig
Typ. RDS(on) = 158 mΩ
Anwendung
DC/DC-Konverter
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 33 nC)
Geringere Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 1154 pF)
Geringere Schaltverluste
PPAP-fähig
Typ. RDS(on) = 158 mΩ
Anwendung
DC/DC-Konverter
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 162 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 9.65mm |
Länge | 10.67mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 @ 10 V nC |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Höhe | 4.58mm |