- RS Best.-Nr.:
- 195-2523
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS5D3N04CTWG
- Hersteller:
- onsemi
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Preis pro 1 Stück (in Packung zu 30)
€ 0,792
(ohne MwSt.)
€ 0,95
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
30 - 270 | € 0,792 | € 23,76 |
300 - 720 | € 0,758 | € 22,74 |
750 - 1470 | € 0,739 | € 22,17 |
1500 + | € 0,72 | € 21,60 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 195-2523
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS5D3N04CTWG
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 71 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5,3 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
Verlustleistung max. | 50 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 bei 10 V nC |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.25mm |
Länge | 5mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 1.15mm |