Vishay SISS73DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 16,2 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 188-4940
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS73DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal 150 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® mit ThunderFET-Technologie
Sehr niedriger RDS(on) minimiert den Leistungsverlust durch die Leitung
Sehr niedriger RDS(on) minimiert den Leistungsverlust durch die Leitung
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 16,2 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 65,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Länge | 3.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,6 nC @ 10 V |
| Breite | 3.3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 0.78mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |