Vishay SISS42LDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 39 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-S
- RS Best.-Nr.:
- 188-4903
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 188-4903
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 39 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-S |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 57 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 3.3mm |
| Länge | 3.3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Höhe | 0.78mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |