- RS Best.-Nr.:
- 186-1534
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS5H610NLT1G
- Hersteller:
- onsemi
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- 186-1534
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- NTMFS5H610NLT1G
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- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
nicht konform
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET 60 V 47 A 10 mOhm 1-N-Kanal SO-8FL Logikpegel
Niedriger RDS (EIN)
Marketing führend FOM
Minimieren Sie Leitungsverluste
Verbesserung der Switching-Leistung
AnwendungenPoint of Load Modules
Hochleistungs-DC/DC-Wandler
Sekundäre Syn. Gleichrichtung
Endprodukte
Netcom, Telekommunikation
Server
Netzteil
Handgeführte Elektrowerkzeuge
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Verbesserung der Switching-Leistung
AnwendungenPoint of Load Modules
Hochleistungs-DC/DC-Wandler
Sekundäre Syn. Gleichrichtung
Endprodukte
Netcom, Telekommunikation
Server
Netzteil
Handgeführte Elektrowerkzeuge
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 44 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 5 |
Drain-Source-Widerstand max. | 13 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 43 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Breite | 6.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,7 nC @ 10 V |
Länge | 5.1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 1.05mm |