ROHM RUF025N02 RUF025N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 183-5622
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF025N02TL
- Hersteller:
- ROHM
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Antriebstyp mit niedrige Spannung (1,5V)
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-323 |
| Serie | RUF025N02 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
| Verlustleistung max. | 800 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±10 V |
| Länge | 2.1mm |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.8mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 4,5 V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.82mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |