- RS Best.-Nr.:
- 182-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H072LFDF-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
- RS Best.-Nr.:
- 182-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H072LFDF-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Profil von 0,6 mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais
Treiber: Relais, Magnetschalter, Leuchten, Hämmer, Displays, Speicher, Transistoren usw.
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais
Treiber: Relais, Magnetschalter, Leuchten, Hämmer, Displays, Speicher, Transistoren usw.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | U-DFN2020 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 110 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 1,1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Länge | 2.05mm |
Breite | 2.05mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,1 nC @ 10V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.58mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1V |