onsemi NVMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

RS Best.-Nr.:: 178-4307
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS6H800NT1G
Hersteller:: onsemi

onsemi NVMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

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Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Informationen zur Produktgruppe

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.

Merkmale
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Niedriger RDS (EIN)
Niedrige QG und Kapazität
NVMFS6H800NWF – Option mit benetzbaren Flanken
PPAP-fähig

Vorteile
Kompaktes Design
Minimiert Leitungsverluste
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische
Inspektion

Anwendungen
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
48-V-Systeme
Endprodukte
Motorsteuerung
Lastschalter
DC/DC-Konverter

Technische Daten des gezeigten Artikels

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	203 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	DFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	5
Drain-Source-Widerstand max.	2,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	200 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.1mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	5.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.05mm

RS Best.-Nr.:: 178-4307
Herst. Teile-Nr.:: NVMFS6H800NT1G
Hersteller:: onsemi