Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 178-3948
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40022EM_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
6400 lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 19 Uhr.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)
€ 1,598
(ohne MwSt.)
€ 1,918
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 + | € 1,598 | € 15,98 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 178-3948
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40022EM_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Breite | 4.83mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Länge | 10.67mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 11.3mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |