Vishay Siliconix TrenchFET SIRC06DP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 60 A 50 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3940
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRC06DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® mit monolithischer Schottky-Diode
SkyFET® mit monolithischer Schottky-Diode
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V |
| Verlustleistung max. | 50 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38,5 nC @ 10 V |
| Breite | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.99mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.7V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Serie | TrenchFET |
| Höhe | 1.07mm |