Vishay Siliconix TrenchFET SQA470EEJ-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,25 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3938
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA470EEJ-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3938
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA470EEJ-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,25 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SC-70-6L |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.6V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 13,6 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±12 V |
Breite | 1.35mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,1 nC @ 4,5 V |
Länge | 2.2mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Serie | TrenchFET |
Höhe | 1mm |