Vishay Siliconix TrenchFET SQA442EJ-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9 A 13,6 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 178-3922
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA442EJ-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3922
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA442EJ-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SC-70 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 13,6 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,75 nC @ 10 V |
| Breite | 1.35mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 2.2mm |
| Höhe | 1mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |