Vishay Siliconix TrenchFET SiSS04DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 65,7 W, 8-Pin 1212
- RS Best.-Nr.:
- 178-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS04DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3908
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS04DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | 1212 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V |
| Verlustleistung max. | 65,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +16 V |
| Länge | 3.15mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61,5 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 3.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Serie | TrenchFET |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
| Höhe | 1.07mm |