Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 178-3723
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40016EM_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 800)
€ 1,509
(ohne MwSt.)
€ 1,811
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 800 + | € 1,509 | € 1.207,20 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 178-3723
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40016EM_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 250 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
| Verlustleistung max. | 300 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 4.83mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 163 nC @ 10 V |
| Länge | 10.67mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 11.3mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |