Vishay Siliconix TrenchFET SQJA76EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3722
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 3000)
€ 0,525
(ohne MwSt.)
€ 0,63
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 + | € 0,525 | € 1,575,00 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 178-3722
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 75 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
Verlustleistung max. | 66 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 5.99mm |
Breite | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 1.07mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Serie | TrenchFET |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |