Vishay Siliconix TrenchFET SQJ872EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 24,5 A 55 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3721
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Das Produkt ist zurzeit nicht verfügbar und kann derzeit nicht vorbestellt werden.
Leider ist dieses Produkt derzeit nicht auf Lager und kann nicht vorbestellt werden.
Im Warenkorb
Preis pro 1 Stück (auf Rolle zu 3000)
€ 0,511
(ohne MwSt.)
€ 0,613
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 + | € 0,511 | € 1.533,00 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 178-3721
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 24,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L |
Serie | TrenchFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 80 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
Verlustleistung max. | 55 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 5.99mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Breite | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.07mm |