Vishay Siliconix TrenchFET SiZF906ADT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
- RS Best.-Nr.:
- 178-3704
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZF906ADT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 178-3704
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZF906ADT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem Schottky
SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem Schottky
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5F |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 5 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V |
Verlustleistung max. | 83 W |
Gate-Source Spannung max. | –16 V, +20 V |
Breite | 6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Länge | 5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 100 (Kanal 2) nC bei 10 V; 24,5 (Kanal 1) nC bei 10 V |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Serie | TrenchFET |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.7mm |