Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- RS Best.-Nr.:
- 178-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS110DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 14,2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 4V |
Verlustleistung max. | 24 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 3.15mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,5 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 3.15mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 1.07mm |
Serie | TrenchFET |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |