Microchip TP2540 TP2540N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 125 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA
- RS Best.-Nr.:
- 177-9867P
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2540N8-G
- Hersteller:
- Microchip
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. -2,4V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 125 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 400 V |
| Gehäusegröße | TO-243AA |
| Serie | TP2540 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1,6 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 2.6mm |
| Länge | 4.6mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
| Höhe | 1.6mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |