ROHM RJ1L08CGN RJ1L08CGNTLL N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 96 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 177-6748
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L08CGNTLL
- Hersteller:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1L08CGNTLL
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
Der RJ1G08CGN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem On-Widerstand und einem kleinen gegossenen Hochleistungsgehäuse (LPTL), für Schaltanwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandKleines vergossenes HochleistungsgehäuseBleifreie LeitungsbeschichtungHalogenfrei
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-263AB |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,7 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 96 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Breite | 9.2mm |
| Länge | 10.4mm |
| Höhe | 4.7mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Serie | RJ1L08CGN |