- RS Best.-Nr.:
- 177-6744
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1E260ATTB1
- Hersteller:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 177-6744
- Herst. Teile-Nr.:
- RS1E260ATTB1
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TH
Informationen zur Produktgruppe
Rohm MOSFET
Der Rohm HSOP8 P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Abflussquellen-Widerstand von 3,1 mohm. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 80 A und eine maximale Verlustleistung von 40 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• bleifrei (Pb)
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Serie | RS1E260AT |
Gehäusegröße | HSOP |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 3,1 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 40 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Breite | 5.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
Höhe | 1.05mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |