- RS Best.-Nr.:
- 177-6730
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3E150GNTB
- Hersteller:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 177-6730
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3E150GNTB
- Hersteller:
- ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Informationen zur Produktgruppe
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.
Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Hochleistungs-Gehäuse (HSMT8).
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Halogenfrei
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 39 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | HSMT |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 6,1 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 17 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Länge | 3.3mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15,3 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 3.1mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Serie | RQ3E150GN |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.9mm |